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SI2318CDS
설명 SI2318CDS-T1-GE3: 트랜스 MOSFET N-CH 40V 4.3A 3핀 SOT-23 T/R - 테이프 및 릴 패키지: SOT-23 부품 번호: SI2318CDS-T1-GE3 제조업체: VISHAY
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기본 정보
| 모델 번호. | SI2318CDS-T1-GE3 |
| 구조 | 확산 |
| 재료 | 규소 |
| 패키지 | SOT-23 |
| D/C | 18세 이상 |
| 품질 | 정품 새 원본 |
| 제조. | 비셰이 |
| 운송 패키지 | 상자 |
| 사양 | 집적 회로 |
| 기원 | 중국 |
| HS 코드 | 8542390000 |
| 생산 능력 | 1000000PCS |
제품 설명
설명
SI2318CDS-T1-GE3: 트랜스 MOSFET N-CH 40V 4.3A 3핀 SOT-23 T/R - 테이프 및 릴
패키지: SOT-23
제조업체 부품 번호: SI2318CDS-T1-GE3
제조업체: VISHAY
데이터시트: (PDF 파일을 받으려면 이메일이나 채팅을 통해 문의하세요)
ROHS 상태:
품질: 100% 원본
보증: 180일
| 부품현황 | 활동적인 |
| FET 유형 | N채널 |
| 기술 | MOSFET(금속 산화물) |
| 드레인-소스 전압(Vdss) | 40V |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) |
| 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) | 4.5V, 10V |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 4.3A, 10V |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Vgs(최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | 340pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 소비(최대) | 1.25W(Ta), 2.1W(Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | 표면 실장 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
회사 제품 라인
